收藏本站
ZXMP6A16K
Typical characteristics
Current
regulator
Q G
12V
0.2 F
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
R G
V GS
R D
V DS
V DD
V GS
Pulse width
1 S
Duty factor 0.1%
t r
t (on)
t d(off)
t r
t (on)
t d(on)
Issue 3 - June 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
6
www.zetex.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZXMP6A17DN8TA MOSFET 2P-CH 60V 3.1A 8-SOIC
ZXMP6A17E6TA MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
ZXMP6A17GTA MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
ZXMP6A17KTC MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK
ZXMP6A17N8TC MOSFET P-CH 60V 2.7A SO8
ZXMP6A18DN8TA MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC
ZXMP6A18KTC MOSFET P-CHAN 60V DPAK
ZXMP7A17GTA MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
相关代理商/技术参数
ZXMP6A17DN8 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17DN8TA 功能描述:MOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMP6A17DN8TC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17E6 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17E6TA 功能描述:MOSFET P-Ch 60 Volt 3.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMP6A17E6TC 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
ZXMP6A17GQTA 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:FET - Tape and Reel
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员